6月16日，“集成電路制造工藝與器件”研討會(huì)在中國科學(xué)院微電子研究所召開。 本次會(huì)議邀請(qǐng)到了來自北京大學(xué)、清華大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、北京航空航天大學(xué)、西安電子科技大學(xué)等高校，中科院半導(dǎo)體所、中科院微電子所、廣東省大灣區(qū)集成電路與系統(tǒng)應(yīng)用研究院等院所，北方集成電路技術(shù)創(chuàng)新中心、長鑫存儲(chǔ)、澳芯集成電路、通富微電等產(chǎn)學(xué)研單位的近20名專家學(xué)者出席會(huì)議并作專題報(bào)告。會(huì)議由中科院微電子所副所長王文武研究員主持。 

　　北京市電子科技情報(bào)研究所張瑩副所長代表主辦方，向參會(huì)的專家學(xué)者表示感謝和歡迎，并介紹了本次研討會(huì)的背景和目的。中國科學(xué)院微電子研究所王文武研究員在致辭中指出，面對(duì)我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展和核心技術(shù)攻關(guān)的迫切需求，應(yīng)進(jìn)一步加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研的深度合作，通過技術(shù)創(chuàng)新和協(xié)同創(chuàng)新，共同打好攻堅(jiān)戰(zhàn)。 

　　本次會(huì)議重點(diǎn)圍繞集成電路制造工藝與器件領(lǐng)域的發(fā)展路徑和前沿技術(shù)進(jìn)行交流和研討，報(bào)告主題涵蓋了納米環(huán)柵器件（GAA）、FD-SOI器件、自旋電子器件等新結(jié)構(gòu)新原理器件，鍺硅、鍺錫、氧化物半導(dǎo)體、鉿基鐵電等新材料及器件，2.5D/3D封裝、異質(zhì)異構(gòu)集成、先進(jìn)封裝基板等封測技術(shù)，以及計(jì)算光刻和緊湊模型等關(guān)鍵技術(shù)。此外，研討會(huì)還圍繞國家重大戰(zhàn)略需求，在產(chǎn)學(xué)研深度合作、實(shí)驗(yàn)設(shè)施共享、專業(yè)人才培養(yǎng)等方面開展了深入討論。 

　　本次會(huì)議由中國科學(xué)院微電子研究所、北京市電子科技情報(bào)研究所主辦，《微納電子與智能制造》雜志社、北京電子學(xué)會(huì)承辦。會(huì)議報(bào)告將以專刊的形式在《微納電子與智能制造》雜志發(fā)表。 

會(huì)議現(xiàn)場