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專利名稱: 集成納米結構的薄膜型MOS 氣體傳感器
專利類別: 實用新型
申請?zhí)?/strong>: 201620179891.6
申請日期: 2016-03-09
專利號: 201620179891.6
第一發(fā)明人: 明安杰;陳大鵬
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權日期:
繳費情況:
實施情況: 授權
專利證書號: 201620179891.6
專利摘要:
其它備注: 感知中心