劉明，1964年4月出生于江西豐城，微電子科學(xué)與技術(shù)專家。1985年本科畢業(yè)于合肥工業(yè)大學(xué)，1988年獲該校碩士學(xué)位，1998年于北京航空航天大學(xué)獲博士學(xué)位。2000年被聘為中國科學(xué)院微電子研究所研究員和納米加工與新器件集成技術(shù)研究室主任。2008年獲得國家杰出青年基金資助?，F(xiàn)任中國科學(xué)院微電子研究所研究員、博士生導(dǎo)師、中國科學(xué)院微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任。2015年當(dāng)選為中國科學(xué)院院士。 

　　劉明研究員長期致力于微電子科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域的研究，在存儲器模型機(jī)理、材料結(jié)構(gòu)、核心共性技術(shù)和集成電路的微納加工等方面做出了系統(tǒng)、創(chuàng)造性貢獻(xiàn)。代表性成果包括：建立了阻變存儲器（RRAM）物理模型，提出并實(shí)現(xiàn)高性能RRAM和集成的基礎(chǔ)理論和關(guān)鍵技術(shù)方法，產(chǎn)生重要國際影響。拓展了新型閃存材料和結(jié)構(gòu)體系，提出新的可靠性表征技術(shù)、失效模型和物理機(jī)理，為存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供關(guān)鍵理論和技術(shù)基礎(chǔ)。她發(fā)表SCI收錄論文250多篇，SCI他引（劉明或合作者均視為自引）超過2800次，6篇論文入選ESI高被引論文榜，兩項(xiàng)工作列入2013年ITRS（國際半導(dǎo)體發(fā)展路線圖）、多項(xiàng)工作作為典型進(jìn)展被寫入15本著作和40篇綜述中。在本領(lǐng)域重要國際會議做邀請報(bào)告30多次。授權(quán)發(fā)明專利180件（含美國授權(quán)專利7件），主要專利轉(zhuǎn)讓/許可到多家重要集成電路企業(yè)。 

　　劉明研究員曾獲國家技術(shù)發(fā)明二等獎3項(xiàng)（2013年（排名第1）、2007年（排名第2）、2005年（排名第4））、國家科技進(jìn)步二等獎1項(xiàng)（2009年（排名第4））、中國電子學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎自然科學(xué)類一等獎（2015年（排名第1））、北京市科學(xué)技術(shù)一等獎2項(xiàng)（2010年（排名第1）、2003年（排名第10））、北京市科學(xué)技術(shù)二等獎2項(xiàng)（2014年（排名第1）、2002年（排名第3））、中國真空科技成就獎（2012年）和中科院杰出成就獎（2014年（排名第8））等獎項(xiàng)。